Transistor S9015

Especificaciones Técnicas:

Transistor Bipolar (BJT) PNP
IC: 100 mA
PD: 450 mW
VCEO: 45 V, VCBO: 50 V, VEBO: 5 V
hFE: 200 a 600 (Ranking C)
FT: 150 MHz mínimo
VCE(sat): 0.3 V max.
Encapsulado: TO-92