Transistor S9012

Especificaciones Técnicas:

Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
hFE con buena linealidad
IC: 500 mA
PD: 625 mW
VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V
hFE: 144 a 202 (Ranking H)
FT: 150 MHz mínimo
VCE(sat): 1.2 V max.
Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull
Encapsulado: TO-92