Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH N 100 V 33 A

Especificaciones técnicas

-Polaridad del transistor: Canal N
-Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
-Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
-Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C):: 33 A
-Corriente de drenaje pulsada IDP: 110 A
-Corriente de avalancha IAR: 16 A
-Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
-Resistencia VGS RDS(on) máximo: 1.4 Ω
-Temperatura de operación mínima: -55 °C
-Temperatura de operación máxima: 175 °C
-Encapsulado: TO-220
-Número de pines: 3